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CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
- メーカー名
- サムコ
- 型番
- RIE-200NL
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 平行平板型
・電源出力 最大300W
・プロセスガス CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，N2
・試料ステージ温度 室温
・試料サイズ 最大φ8インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
- メーカー名
- サムコ
- 型番
- RIE-101iPH
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W
・プロセスガス Cl2，BCl3，Ar，O2，N2
・試料ステージ温度 200度以下
・試料サイズ 最大φ4インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]
- メーカー名
- 住友精密工業
- 型番
- MUC-21 RV-APS-SE
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW
・プロセスガス：CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He
・試料ステージ温度 -10～+40度
・試料サイズ 最大φ4インチ
・その他 SiO2エッチングレート：0.5um/min以上，終点検出機能装備
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
- メーカー名
- 住友精密工業
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大100W
・プロセスガス SF6，C4F8，Ar，O2
・試料ステージ温度 室温
・試料サイズ 最大φ3インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ
- 型番
- PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
- 仕様
- ・プラズマ励起方式：誘導結合型
・電源出力：ICP出力 最大3kW／バイアス出力 最大300W
・プロセスガス：CL2, BCL3, SF6, Ar, N2, O2
・試料ステージ温度：-30～80℃
・試料サイズ：最大φ6インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社
- 型番
- RTP-6
- 仕様
- 加熱方式：放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
プロセス温度：1100℃以下
昇温速度：10℃/秒以下
プロセスガス：Ar, N2, Ar;H2(3%)
試料サイズ：最大φ6インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社
- 型番
- RTP-6
- 仕様
- 加熱方式：放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
プロセス温度：1100℃以下
昇温速度：10℃/秒以下
プロセスガス：O2, N2, Ar+H2(3%)
試料サイズ：最大φ6インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ダイシングソー [DAD322]
- メーカー名
- ディスコ
- 型番
- DAD322
- 仕様
- ・切削刃 ダイヤモンドブレード
・切削範囲 XY：162mm以下
・スピンドル回転数 3000-40000rpm
・顕微鏡 モニタ上倍率27倍／270倍電動切替
・試料サイズ 最大φ6インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ダイシングソー [DAD3220]
- メーカー名
- ディスコ
- 型番
- DAD-3220
- 仕様
- ・ブレード種：Si用及びAl2O3切断用ブレード
・ウェハサイズ：最大φ6インチ
・切断位置決め精度：5μm以内（CCDカメラによる位置指定）
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- 微細加工ユニット
FE-SEM [S-4800]
- メーカー名
- (株)日立ハイテクノロジーズ
- 型番
- S-4800
- 仕様
- ・電子銃 ZrO/W 電界放射型
・加速電圧 0.1-30kV
・2次電子像分解能 1.0nm （ノーマル：15kV） 1.4nm （リターディング：1.0kV）
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"微細加工"で検索した結果 49件
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