赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]](data/facility_item/1673328975_16.jpg)
| 装置ID | NF0253 |
|---|---|
| 装置名称 | 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3] |
| メーカー名 | アドバンス理工株式会社 |
| 型番 | RTP-6 |
| 用途 | 小片～φ6インチの急速アニール |
| 仕様 | 加熱方式：放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式 プロセス温度：1100℃以下 昇温速度：10℃/秒以下 プロセスガス：O2, N2, Ar+H2(3%) 試料サイズ：最大φ6インチ |
| 利用時間単位 | 時間(1h) |
|---|---|
| 利用可能形態 |
|
| 料金案内 | NOF利用料金表 |
| マテリアル先端リサーチインフラの利用 | ○ |
| 問い合わせ先部署 | 微細加工ユニット |
| 設置場所 | 千現地区 材料信頼性実験棟1F |
※予約状況につきましては、お問い合わせください。
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