原子層堆積装置 [TFS200]
![原子層堆積装置 [TFS200]](data/facility_item/1771987803_16.jpg)
| 装置ID | NF0286 |
|---|---|
| 装置名称 | 原子層堆積装置 [TFS200] |
| メーカー名 | Beneq |
| 型番 | TFS200 |
| 用途 | ALD、原子層堆積、薄膜、絶縁膜、パッシベーション、原子層堆積（ALD）装置 Atomic layer deposition (ALD) |
| 仕様 | 【性能・仕様】 ・用途：多種ALD酸化膜形成 ・成膜方式：サーマルALD 【特徴】 ・成膜膜種：Al2O3, TiO2, HfO2, ZnO, ZrO2, Y2O3, Ta2O5 ・試料サイズ：最大φ8インチ |
| 利用時間単位 | 時間（1h） |
|---|---|
| 利用可能形態 |
|
| 料金案内 | NOF利用料金表 |
| マテリアル先端リサーチインフラの利用 | ○ |
| 問い合わせ先部署 | 微細加工ユニット |
| 設置場所 | 千現地区 材料信頼性実験棟 1F |
※予約状況につきましては、お問い合わせください。
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